日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(以下簡稱「Toshiba」) 推出了兩款車用40V N通路功率MOSFET,分別為「XPJR6604PB」和「XPJ1R004PB」,它們使用了Toshiba的新型S-TOGL™ (小型電晶體輪廓鷗翼式引腳)封裝與U-MOS IX-H工藝晶片。兩款產品與今日開始批量出貨。
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自動駕駛系統等安全關鍵應用程式透過冗餘設計確保可靠性,因此與標準系統相比,它們整合了更多的裝置,需要更多的表貼空間。因此,需要進一步縮小汽車設備的尺寸,需要能够在高電流密度下表貼的功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB採用Toshiba的新型S-TOGL™封裝(7.0mm×8.44mm[1]),其特點是採用無接線柱結構,將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。
與具有相同熱阻特性的Toshiba TO-220SM (W)封裝產品[2]相比,S-TOGL™封裝與Toshiba U-MOS IX-H工藝相結合,可實現導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM(W) 封裝相比,新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外,採用新型封裝的產品可提供200A漏極額定電流,高於Toshiba類似尺寸的DPAK+封裝(6.5mm×9.5mm[1])產品,從而實現了大電流。總體而言,S-TOGL™封裝可實現高密度和緊湊佈局,縮小汽車設備的尺寸,並有助於實現高散熱。
由於汽車設備可能在極端溫度環境下工作,因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關鍵考慮因素。S-TOGL™封裝採用鷗翼式引腳,可降低表貼應力,提高焊點的可靠性。
當需要並聯多個器件為應用提供更大工作電流時,Toshiba支援這兩款新產品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產品,從而減小特性偏差。
Toshiba將繼續擴展其功率半導體產品線,並通過使用者友好型、高效能功率器件為實現碳中和做出貢獻。
應用
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汽車設備:逆變器、半導體繼電器、負載開關、馬達驅動等
特性
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新型S-TOGL™ 封裝:7.0mm×8.44mm(典型值)
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高標稱漏極電流:
XPJR6604PB:ID=200A
XPJ1R004PB:ID=160A
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AEC-Q101認證
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提供IATF 16949/PPAP[4]
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低導通電阻:
XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53mΩ (典型值) (VGS=10V)
XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8mΩ (典型值) (VGS=10V)
註:
[1] ]典型封裝尺寸,包括引腳。
[2] TKR74F04PB採用TO-220SM (W)封裝。
[3] Toshiba可以提供分組出貨,每卷產品的柵極閾值電壓浮動範圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯絡Toshiba銷售代表瞭解更多資訊。
[4] 請聯絡Toshiba銷售代表瞭解更多資訊。
主要規格
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新產品
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現有產品
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器件型號
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XPJR6604PB
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XPJ1R004PB
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TKR74F04PB
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TK1R4S04PB
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極性
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N通路
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系列
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U-MOS IX-H
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封裝
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名稱
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S-TOGL™
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TO-220SM(W)
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DPAK+
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尺寸 (mm)
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典型值
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7.0×8.44,t=2.3
|
10.0×13.0,t=3.5
|
6.5×9.5,t=2.3
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絕對最大額定值
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漏極-源極電壓 VDSS (V)
|
40
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漏極電流 (DC) ID (A)
|
200
|
160
|
250
|
120
|
漏極電流 (脈衝) IDP (A)
|
600
|
480
|
750
|
240
|
結溫 Tch (°C)
|
175
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電氣特性
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漏極-源極導通電阻
RDS(ON) (mΩ)
|
VGS=10V
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最大值
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0.66
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1.0
|
0.74
|
1.35
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結殼熱阻
Zth(ch-c) (°C/W)
|
Tc=25°C
|
最大值
|
0.4
|
0.67
|
0.4
|
0.83
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XPJR6604PB
XPJ1R004PB
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車用MOSFET
* S-TOGL™是Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation的商標。
* 其他公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進電晶體和儲存解決方案的領先供應商,藉由半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業合作夥伴提供卓越的分立電晶體、系統LSI和HDD產品。
公司在世界各地的21,500名員工都決心最大限度地提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和新市場。隨著年銷售額接近8000億日元 (61億美元),Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待著為世界各地的人們營建一個更美好的未來。
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Toshiba:採用新型封裝的車用40V N通路功率MOSFET,有助於實現汽車設備的高散熱和小型化。(圖片:美國商業資訊)
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