— 第二代元件提供更高的正向浪湧電流峰值和品質因子,現支援表面黏著型封裝 —
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(TDSC)推出六款採用碳化矽(SiC)製造的肖特基勢壘二極體(SBD),以此增強了公司的二極體產品陣容。這些新產品採用表面黏著型封裝。量產出貨即日啟動。
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截至目前,東芝電子元件及儲存裝置株式會社一直專注於採用直插式封裝的SiC SBD。東芝電子元件及儲存裝置株式會社新推出的第一款採用表面黏著型封裝(又稱DPAK)的SiC SBD滿足了客戶減小系統尺寸和厚度的需求。
新的SiC SBD整合了東芝的最新第二代晶片,該晶片在正向浪湧電流峰值(IFSM)和品質因子(VF•Qc*1)方面實現了改進。這些元件提供更強的耐用度和低損耗,有助於提高系統效率和簡化散熱設計。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社將繼續拓展其產品陣容,以幫助提高系統效率並減小通訊設備、伺服器、逆變器和其他產品的尺寸。
特點
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高正向浪湧電流峰值:約為額定電流的7-9.5倍,IF(DC)。
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低品質因子(VF•Qc):約比第一代產品低1/3,意味著高效率。
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表面黏著型封裝:支援自動黏著,有助於減小系統尺寸和厚度。
應用場合
這些新SiC SBD適合一系列廣泛的商業和工業應用,包括高效率電源中的PFC電路。
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消費品和辦公產品:大螢幕4K LCD及OLED電視機、投影機、多功能影印機等的電源。
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工業設備:電信基地台、電腦伺服器、太陽能微型逆變器等的電源。
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電路:功率因數校正(PFC)電路、微型逆變器電路、切斷器電路(數百瓦特或更高功率的各種電源)。
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開關設備續流二極體。
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主要規格
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封裝
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絕對最大額定值
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電氣特性
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正向
直流電流
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非重複性
峰值正向
浪湧電流
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總耗散
功率
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結
溫
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正向
電壓
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品質
因子
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結
電容
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總
電容
電荷
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符號
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IF(DC)
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IFSM
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Ptot
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Tj
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VF
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VF•Qc
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Cj
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QC
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單位
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(A)
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(A)
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(W)
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(℃)
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(V)
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(V•nC)
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(pF)
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(nC)
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值
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最大
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|
最大
|
|
最大
|
|
最大
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-
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典型值
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典型值
|
|
典型值
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產品/條件
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-
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@半正
弦波
t=10ms
|
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Tc=25℃
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|
-
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@ IF(DC)
|
|
-
|
|
@ VR=
1V
|
|
@VR=
400V
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表面黏著型DPAK/
等效於TO-252
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TRS2P65F
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|
2
|
|
19
|
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34.0
|
|
175
|
|
1.45
(典型值)
1.60
(最大值)
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8.4
|
|
85
|
|
5.8
|
|
TRS3P65F
|
|
3
|
|
26
|
|
37.5
|
|
|
|
11.7
|
|
120
|
|
8.1
|
|
TRS4P65F
|
|
4
|
|
33
|
|
41.0
|
|
|
|
15.1
|
|
165
|
|
10.4
|
|
TRS6P65F
|
|
6
|
|
45
|
|
48.3
|
|
|
|
21.9
|
|
230
|
|
15.1
|
|
TRS8P65F
|
|
8
|
|
58
|
|
55.5
|
|
|
|
28.6
|
|
300
|
|
19.7
|
|
TRS10P65F
|
|
10
|
|
70
|
|
62.5
|
|
|
|
35.4
|
|
400
|
|
24.4
|
|
註:
[1] Qc:0.1V至400V之間的電容Cj的電荷量。
有關東芝電子元件及儲存裝置株式會社碳化矽肖特基勢壘二極體產品陣容的更多資訊,請造訪如下連結:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/diode/sic.html
客戶詢問:
功率元件銷售與行銷部
電話:+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
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關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(TDSC)集新公司的活力與集團的經驗智慧於一體。自2017年7月從東芝公司完成分割以來,我們已躋身領先的通用設備公司之列並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的分離式半導體、系統LSI和HDD解決方案。
公司遍佈全球的1.9萬名員工同心一致,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創造。我們期望基於目前超過7000億日圓(60億美元)的年度銷售額,致力於為全球人類創造更加美好的未來。
有關公司的更多詳情,請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
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東芝電子元件及儲存裝置株式會社:採用DPAK表面黏著型封裝的第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體。(照片:美國商業資訊)
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