日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了「SSM10N961L」。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用於帶USB的裝置和電池組保護。產品發貨即日起開始。
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截至目前，Toshiba的N溝道共漏MOSFET系列產品一直聚焦12V產品，主要用於保護智慧型手機的鋰離子電池組。此次發布的30V產品可滿足更多電壓高於12V的應用，例如USB充電裝置電源線的負載開關以及筆記型電腦和平板電腦中鋰離子電池組的保護。
要達成具有低漏極-源極導通電阻(RDS(ON))的雙向開關，需要兩個具有低RDS(ON)的3.3×3.3mm或2×2mm MOSFET。Toshiba的新產品採用全新的小巧輕薄封裝TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）），在單封裝共漏配置下具備9.9mΩ（典型值）的低源極-源極導通電阻(RSS(ON))。
USB Power Delivery (USB PD)支持15W (5V / 3A)到最大240W (48V / 5A)的電源，專為需要大功率電源的裝置而開發。USB PD規定了交換供電端和接收端的角色互換功能，並要求具有USB充電功能的裝置支持雙向供電，以便兩邊都能供電和受電。新產品是一種支持雙向供電且安裝面積較小的N溝道共漏MOSFET。
將該產品與Toshiba的TCK42xG系列驅動器IC相結合，可形成一個具有防回流功能的負載開關電路或一個可在「先合後斷」(MBB)和「先斷後合」(BBM)之間切換操作的功率多工電路。Toshiba今天發布了植基於該產品組合的功率多工電路（使用共漏極MOSFET）的參考設計。使用該參考設計將有助於縮短產品設計和開發時間。
Toshiba將繼續擴大其產品陣容並改進特性，以提高設計靈活性。
應用
特點
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高額定源-源電壓：VSSS=30V
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低導通電阻：RSS(ON)=9.9mΩ（典型值）(VGS=10V)
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共漏極連接結構可達成雙嚮導通
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小巧輕薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）
主要規格
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（除非另有說明，否則Ta=25°C）
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型號
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SSM10N961L
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極性
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N溝道×2
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內部連接
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共漏極
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絕對
最大
額定值
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源-源電壓VSSS (V)
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30
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柵-源電壓VGSS (V)
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±20
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源電流（直流）(DC) IS (A)[1]
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9.0
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源電流（直流）(DC) IS (A)[2]
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14.0
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電氣
特性
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源-源擊穿電壓V(BR)SSS (V)
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VGS＝0V
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最小值
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30
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源極-源極導通電阻RSS(ON) (mΩ)
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VGS＝10V
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典型值
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9.9
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VGS＝4.5V
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典型值
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13.6
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封裝
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名稱
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TCSPAG-341501
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尺寸(mm)
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典型值
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3.37×1.47, t=0.11
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樣品查詢與供應情況
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線上購買
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備註：
[1] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：18µm，407mm2，FR4玻璃環氧板
[2] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：70µm，687.5mm2，FR4玻璃環氧板
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SSM10N961L
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MOSFET
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應用
智慧型手錶
運動攝影機
平板裝置
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SSM10N961L
線上購買
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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家首屈一指的先進半導體和儲存解決方案供應商，憑藉半個多世紀的經驗與創新優勢，為客戶和業務合作夥伴提供傑出的半導體分立元件、系統LSI和HDD產品。
公司在全球擁有21,500名員工，以促進產品價值最大化為己任，與客戶緊密合作，共同創造價值、開拓新市場。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年銷售收入近8000億日圓（約合61億美元），立志為全人類創造更加美好的未來。
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Toshiba：採用全新小巧輕薄封裝的30V N溝道共漏MOSFET——SSM10N961L。（圖片：美國商業資訊）
Toshiba：功率多工電路的參考設計（使用共漏MOSFET）（圖片：美國商業資訊）
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