新增的表面黏著元件滿足了各種應用對於可靠的高壓GaN功能不斷增長的興趣
加州戈拉塔--(美國商業資訊)--最高可靠性高壓(HV)氮化鎵(GaN)半導體設計和製造的領導者Transphorm Inc.今天宣布推出其首款第三代PQFN88電晶體。新的650 V元件有TP65H070LSG（源極片）和TP65H070LDG（漏極片）兩種版本，並提供72毫歐的導通電阻。
提升第三代平臺著名的可靠性
Transphorm的第三代元件於2018年6月推出，是當時市場上最高品質、最高可靠性的[Q+R] GaN FET。它們與客製化設計的低壓MOSFET和GaN FET相配對，可提供：
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更安靜的切換
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增加電流水準下的更高性能，以及最少的外部電路
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更高的抗噪能力（4 V時的閾值電壓）
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更高的閘極穩健性(+/- 20 V)
第三代漏極和源極PQFN88封裝包括更寬的引腳以提高板級可靠性(BLR)，從而增加多層印刷電路板(PCB)設計的可靠性。所提供的漏極和源極接頭配置還可適應高側和低側開關位置。這在將大焊盤焊接到非開關節點時，可提供更強的輻射抗擾度。此外，在現有的第三代TO-XXX FET產品中加入PQFN88元件，使工程師有機會使用Transphorm的最新技術探索GaN驅動的表面黏著應用。
Transphorm全球技術行銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：「我們關注的重點仍然是在提高GaN FET可靠性的同時，提供更高的功率密度。隨著市場對高壓GaN技術的興趣持續增長，我們還希望為客戶提供適合各種潛在應用的元件選擇。我們在現有產品系列中推出72毫歐的源極和漏極PQFN88元件，這使我們能夠同時滿足這三個目標。」
高壓GaN功率電子元件的採用率正在不斷上升。事實上，Transphorm已宣布有數家擁有各種終端產品[例如：伺服器和工業電源、遊戲PC供應、可攜式太陽能發電機等]的客戶展現了該技術的價值主張。
供應、定價和支援
650 V TP65H070LSG和TP65H070LDG (72 mΩ) FET目前每千片訂量的報價為7.47美元。提供支援的設計資源包括：
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TP65H070L系列資料表
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TP65H070L系列模型資料
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1.2 kW半橋降壓或升壓評估套件[TDHBG1200DC100-KIT]
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TP65H070L半橋子卡[TDHB-65H070-DC]
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推薦的適用於Transphorm GaN FET的外部電路應用說明
其他應用說明和設計指南可在元件的產品頁面上找到：TP65H070LSG和TP65H070LDG。
關於Transphorm
Transphorm致力於為高壓電源轉換應用設計並製造最高性能、最高可靠性的650伏特與900伏特氮化鎵半導體。憑藉最大的IP組合（1000多項已授權和申請中的專利），Transphorm元件是業界唯一同時通過JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET。
原文版本可在businesswire.com上查閱：https://www.businesswire.com/news/home/20190911005241/en/
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