- 新元件進一步提高電源效率
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用於資料中心伺服器電源、太陽能(PV)功率調節器、不斷電系統(UPS)和其他工業應用。
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TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款元件,是一款支援高達57A連續漏極電流(ID)的650V元件,而出現脈衝電流(IDP)時,可支援高達228A的連續漏極電流。該款新元件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源極導通電阻RDS(ON),可有效減少電源應用中的損耗。歸功於更低的電容設計,該款增強型元件成為現代高速電源應用的理想之選。
關鍵效能指標/品質因數(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得電源效率得到提高。與上一代DTMOS IV-H元件相比,TK040N65Z的這一重要指標提升40%,這意味著電源效率顯著提高,據測量,2.5kW PFC電路中電源效率提高大約0.36%[1]。
該款新元件採用業界標準的TO-247封裝,既實現了與舊版設計的相容性,也適用於新專案。
為滿足市場需求,東芝將繼續擴大其產品陣容並幫助提高電源和電源系統的效率。
該款新元件的量產和出貨即日啟動。
應用場合
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資料中心(伺服元電源等)
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太陽能發電機功率調節器
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不斷電系統
特點
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RDS(ON) × Qgd降低,支援開關電源提高效率
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主要規格
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(@Ta=25oC)
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產品型號
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封裝
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絕對
最大額定值
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漏源極
導通電阻
RDS(ON)最大值
@VGS=10 V
(Ω)
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總
閘極
電荷
Qg
典型值
(nC)
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閘漏電荷
Qgd
典型值
(nC)
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輸入
電容
Ciss
典型值
(pF)
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上一代
系列
(DTMOS IV-H)
產品
型號
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庫存查詢
與購買
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漏
源極
電壓
VDSS
(V)
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漏極
電流
(直流)
ID
(A)
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TK040N65Z
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TO-247
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650
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57
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0.040
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105
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27
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6250
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TK62N60X
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線上購買
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註:
[1] 截至2018年6月,東芝測量值(2.5kW PFC電路@輸出功率=2.5kW)。
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東芝:DTMOS VI系列中的首款元件——新一代超接合功率MOSFET TK040N65Z(照片:美國商業資訊)
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