發新話題
打印

東芝開發出散熱性能更強的40V N溝道功率MOSFET

東芝開發出散熱性能更強的40V N溝道功率MOSFET

- 新封裝提供雙面散熱,有效改善散熱。

東京--(美國商業資訊)--八月,東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)將啟動用於汽車應用的40V N溝道功率MOSFET——TPWR7904PB和TPW1R104PB的量產和出貨。其採用雙面散熱、低電阻、小型DSOP Advance(WF)封裝。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20180730005834/en/

這些新產品在DSOP Advance(WF)封裝中安裝U-MOS IX-H系列晶片——採用最先進溝槽結構的MOSFET,實現高散熱性和低導通電阻特性。導通損耗所產生的熱量得到有效消散,因此散熱設計靈活性得到提高。

與東芝之前的U-MOS IV系列相比,U-MOS IX-H系列還實現了更小的開關雜訊,有助於降低電磁干擾(EMI)[1]
DSOP Advance(WF)封裝採用Wettable Flank Terminal結構[2]

應用場合
- 電動輔助轉向系統
- 負載開關
- 電動幫浦

特點
- 符合AEC-Q101標準,適用於汽車應用場合
- 採用頂板(top plate)[3]和漏極的雙面散熱封裝
-Wettable Flank結構有助於提高AOI可見性
- U-MOS IX-H系列具備低導通電阻和低噪音特性

 

主要規格

 (@Ta=25 ℃)

產品
型號

 

絕對
最大額定值

 

漏源極
導通電阻
RDS(ON)最大值(mΩ)

 

閘源極
之間
內建
穩壓二極體

 

系列

 

封裝

 


源極
電壓
VDSS
(V)

 

漏極
電流
(直流)
ID
(A)

       
     

@VGS=6 V

 

@VGS=10 V

     

TPWR7904PB

 

40

 

150

 

1.3

 

0.79

 

 

U-MOSⅨ-H

 

DSOP
Advance(WF)L

TPW1R104PB

 

 

120

 

1.96

 

1.14

 

 

 

DSOP
Advance(WF)M

 

註:
[1] EMI(電磁干擾)
[2] Wettable Flank Terminal結構:一種端子結構,支援在電路板上進行安裝的自動光學檢測(AOI)。
[3] 請注意,該頂板與源極電勢相同,但不能用於電極。

有關東芝MOSFET產品陣容的更多資訊,請造訪如下連結:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html

客戶詢問:
功率元件銷售與行銷部
電話:+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

本新聞稿中的資訊,包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況,如有變動,恕不另行通知。

關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
東芝電子元件及儲存裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧於一身。自2017年7月成為一家獨立公司以來,我們已躋身領先的通用設備公司之列,並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的分離式半導體、系統LSI和HDD解決方案。

公司遍佈全球的1.9萬名員工同心同德,竭力實現公司產品價值的最大化,同時重視與客戶的密切合作,促進價值和新市場的共同創造。我們期待在目前超過7000億日圓(60億美元)的年度銷售額基礎上再接再厲,為全球人類創造更加美好的未來。
有關公司的更多詳情,請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20180730005834/en/

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

聯絡方式:

媒體詢問:
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
Chiaki Nagasawa,+81-3-3457-4963
數位行銷部
[email protected]

東芝:用於汽車應用的40V N溝道功率MOSFET TPWR7904PB,其採用雙面散熱的新封裝,可有效改善散熱。(照片:美國商業資訊)


Share this:

TOP

發新話題