東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出1200V碳化矽(SiC) MOSFET TW070J120B。該產品適用於大容量電源等工業應用,於即日起供貨。
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該功率MOSFET採用新材料SiC,與常規的矽(Si) MOSFET、IGBT產品相比,具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性,因此有利於降低功耗,精簡系統。
這款新元件採用可提高SiC MOSFET可靠性的東芝第二代晶片設計[1]生產,具有低輸入電容、低閘極輸入電荷、低漏源導通電阻等特性。與東芝的1200V矽絕緣閘極雙極電晶體(IGBT) GT40QR21相比,其關斷開關損耗降低80%左右,開關時間(下降時間)大約縮短70%,並且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導通電壓[2]。
其閘極閾值電壓設定在4.2V至5.8V的較高電壓範圍內,有助於降低故障風險(意外開啟或關閉)。此外,內建的具有低正向電壓的SiC肖特基勢壘二極體(SBD)也有助於降低功耗。
在大容量AC-DC轉換器、太陽光逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中,這款新型MOSFET將不僅透過降低功耗來達到提高效率的目的,而且也有助於縮小設備尺寸。
注釋:
[1] 東芝於2020年7月30日發布的新聞:《東芝的新元件結構提高SiC MOSFET的可靠性》
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[2] 環境溫度25°C
應用場景
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大容量AC-DC轉換器
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太陽光逆變器
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大容量雙向DC-DC轉換器
特性
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第二代晶片設計(內建SiC SBD)
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高電壓、低輸入電容、低總閘極電荷、低導通電阻、低二極體正向電壓、高閘極閾值電壓:
VDSS=1200V,Ciss=1680pF(典型值),Qg=67nC(典型值),RDS(ON)=70mΩ(典型值),VDSF=-1.35V(典型值),Vth=4.2~5.8V
主要規格
(除非另有說明,Ta=25℃)
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元件
型號
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封裝
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絕對最大額定值
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電氣特性
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庫存查詢與供貨
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漏源
電壓
VDSS
(V)
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漏極電流
(DC)
ID
Tc=25℃時
(A)
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漏源
導通電阻
RDS(ON)
典型值
VGS=20V時
(mΩ)
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閘極閾值電壓
Vth
VDS=10V,
ID=20mA時
(V)
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總閘極電荷
Qg
典型值
(nC)
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輸入電容
Ciss 典型值 (pF)
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二極體正向電壓
VDSF
典型值
IDR=10A,
VGS=-5V 時
(V)
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TW070J120B
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TO-3P(N)
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1200
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36.0
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70
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4.2至5.8
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67
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1680
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-1.35
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線上購買
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東芝:1200V碳化矽(SiC) MOSFET TW070J120B,用於大容量電源等工業設備。(圖片:美國商業資訊)
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