-- 採用小型低電阻封裝，實現更低的導通電阻
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已推出兩款採用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的新MOSFET產品——TPHR7904PB和TPH1R104PB，這兩款產品是汽車用40V N溝道功率MOSFET系列的最新產品。量產即日啟動。
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這兩款新MOSFET產品採用最新第九代U-MOS IX-H溝槽製程製造，採用小型低電阻封裝，具備低導通電阻，因此有助於降低導通損耗。與東芝上一代設計(U-MOS IV)相比，U-MOS IX-H設計還實現了更低的開關雜訊，有助於降低EMI（電磁干擾）。
SOP Advance (WF)封裝採用「可潤濕側翼」(wettable flank)端子結構，支援在焊接之後進行自動光學檢測(AOI)
應用場合
特點
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由於採用U-MOS IX-H製程和SOP Advance(WF)封裝，實現了0.79mΩ的最大導通電阻（RDS(ON)最大值）。
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低噪音特性降低了電磁干擾(EMI)。
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採用可潤濕側翼端子結構，支援小型低電阻封裝。
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主要規格
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（除非另作說明，@Ta=25°C）
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產品型號
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漏源極
電壓
VDSS
(V)
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漏極
電流
（直流）
ID
(A)
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漏源極
導通電阻
RDS(ON)最大值(mΩ)
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閘源極
之間
內建
穩壓二極體
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系列
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@VGS=6V
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@VGS=10V
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TPH1R104PB
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40
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120
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1.96
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1.14
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否
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U-MOS IX
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TPHR7904PB
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150
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1.3
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0.79
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否
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U-MOS IX
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https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
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東芝：採用小型低電阻SOP Advance (WF)封裝的汽車用40V N溝道功率MOSFET品——TPHR7904PB和TPH1R104PB。（照片：美國商業資訊）
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