- π-MOS IX系列600V平面MOSFET兼具高效率和低噪音優點 -
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——π-MOS IX。量產即日啟動。
此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180109006889/en/
π-MOS IX系列採用經最佳化的晶片設計，與現有的π-MOS VII系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，同時保持了相同水準的效率。該產品提供更大的設計自由度，因此有助於減小設計工作量。此外，π-MOS IX系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕鬆取代現有的MOSFET。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社將推出更多600V元件以及500V和650V元件，以擴大其π-MOS IX系列的產品陣容。
應用場合
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筆記型電腦AC變壓器和遊戲機充電器的中小型開關電源
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照明電源
特點
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兼具高效率和低噪音優點
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額定雪崩電流和額定直流電流相等
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主要規格
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產品型號
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封裝
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絕對最大
額定值
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RDS(ON)
最大值(Ω)
VGS=10V
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Qg
典型值
(nC)
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Ciss
典型值
(pF)
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當前一代
（π-MOS VII系列）
產品型號
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VDSS (V)
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ID (A)
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TK650A60F
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TO-220SIS
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600
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11
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0.65
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34
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1320
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TK11A60D
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TK750A60F
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TO-220SIS
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600
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10
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0.75
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30
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1130
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TK10A60D
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TK1K2A60F
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TO-220SIS
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600
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6
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1.2
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20.5
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740
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TK6A60D(1.25Ω)
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TK1K9A60F
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TO-220SIS
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600
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3.7
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1.9
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14
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490
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TK4A60DB(2.0Ω)
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註：
[1] TK10A60D與TK750A60F相比較（200MHz地區的65W筆記型電腦配接器）
有關中高電壓功率MOSFET產品陣容的更多資訊，請造訪如下連結：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/hv-mosfet.html
客戶詢問：
功率元件銷售與行銷部
電話：+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*本新聞稿中的資訊，包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況，如有變動，恕不另行通知。
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有關公司的更多詳情，請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
原文版本可在businesswire.com上查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180109006889/en/
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東芝電子元件及儲存裝置株式會社：600V平面MOSFET新系列π-MOS IX（照片：美國商業資訊）
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