日本川崎--(美國商業資訊)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)擴大了其採用最新一代製程製造的N溝道功率MOSFET產品線[1],該產品採用適合資料中心、開關電源和太陽光電發電機功率調節器的600V超接合結構。新產品TK055U60Z1是DTMOSVI系列中的首款600V產品,自即日起開始出貨。
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透過最佳化閘極設計和製程,與具有相同漏源電壓額定值的Toshiba當前一代DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品單位面積漏源導通電阻降低約13%,MOSFET性能品質因數漏源導通電阻×閘漏電荷約降低52%,從而確保該系列同時實現低導通損耗和低開關損耗,有助於提高開關電源的效率。
新產品採用TOLL封裝,可實現其閘極驅動的信號源端子開爾文連接。封裝中源極線中電感的影響得以降低,從而增強MOSFET的高速開關性能,抑制開關期間的振盪。
Toshiba將繼續擴大其600V DTMOSVI系列產品陣容,及其已經發布的650V DTMOSVI系列產品,並透過降低開關電源的功率損耗來支持節能。
注:
[1] 截至2023年6月。
應用
· 資料中心(伺服器用開關電源等)
· 太陽光電發電機功率調節器
· 不斷電系統
特點
· 實現低漏源導通電阻×閘漏電荷,並實現高效率開關電源
主要規格
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(除非另有說明,Ta=25°C)
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零件編號
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TK055U60Z1
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絕對最大
額定值
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漏源電壓VDSS (V)
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600
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漏極電流(DC) ID (A)
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40
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溝道溫度Tch (°C)
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150
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電氣特性
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漏源導通電阻
RDS(ON) (mΩ)
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VGS=10V
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最大值
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55
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總閘極電荷Qg (nC)
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典型值
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65
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閘極漏極電荷Qgd (nC)
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典型值
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15
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輸入電容Ciss (pF)
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典型值
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3680
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封裝
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名稱
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TOLL
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尺寸(mm)
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典型值
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9.9×11.68,
t=2.3
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樣品檢查和供應情況
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線上購買
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和商業夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的2.15萬名員工共同致力於最大限度提高公司產品價值,不斷強化與客戶的密切合作,攜手創造價值,合作開發新市場。在目前近8000億日圓(61億美元)年銷售額的基礎上,Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待為全人類創造更美好的未來並做出相關貢獻。
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Toshiba:DTMOSVI系列的600V N溝道功率MOSFET TK055U60Z1。(圖片:美國商業資訊)
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