擴大低電壓U-MOS IX-H功率MOSFET系列的產品陣容
東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日啟動TPH3R70APL和TPN1200APL的產品出貨，這兩款產品是該公司低電壓U-MOS IX-H N溝道功率MOSFET系列的最新100V產品。這些新元件適用於工業設備的電源應用。
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TPH3R70APL和TPN1200APL採用該公司最先進的低電壓U-MOS IX-H溝道製程製造，對元件結構進行了最佳化，具備業界最低的導通電阻[1]。此外，與使用U-MOS VIII-H製程的現有元件相比，這些新元件擁有更低的RDS(ON) × Qoss（導通電阻×輸出電荷）和RDS(ON) × QSW（導通電阻×閘極開關電荷），它們是適用於開關應用的MOSFET的關鍵品質因子[2]。
為了順應市場趨勢，東芝電子元件及儲存裝置株式會社將繼續擴大其MOSFET產品陣容，以幫助提高電源效率
應用場合
- 工業設備電源
- 馬達控制設備
特點
- 業界最低導通電阻[1]
RDS(ON) = 3.7mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPH3R70APL)
RDS(ON) = 11.5mΩ（最大值）@ VGS = 10V (TPN1200APL)
- 低輸出電荷和低閘極開關電荷
- 支援4.5V邏輯電平驅動
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主要規格
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（除非另作說明，@Ta=25°C）
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產品
型號
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絕對
最大額定值
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漏源極
導通電阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
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總
閘極
電荷
Qg
典型值
(nC)
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閘極
開關
電荷
Qsw
典型值
(nC)
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輸出
電荷
Qoss
典型值
(nC)
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輸入
電容
Ciss
典型值
(pF)
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封裝
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漏
源極
電壓
VDSS (V)
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漏極
電流
(DC)
ID
@Tc =
25℃
(A)
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@V
GS=
10V
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@V
GS=
4.5V
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TPH3R70APL
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100
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90
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3.7
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6.2
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67
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21
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74
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4850
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SOP
Advance
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TPN1200APL
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40
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11.5
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20
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24
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7.5
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24
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1425
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TSON
Advance
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註：
[1] 截至2017年12月18日，針對具備等效額定值的MOSFET。東芝電子元件及儲存裝置株式會社調查。
[2] TPH3R70APL的RDS(ON) × Qoss值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
TPH3R70APL的RDS(ON) × QSW值比U-MOS VIII-H系列TPH4R10ANL低10%。
有關MOSFET產品陣容的更多資訊，請造訪如下連結：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet.html
客戶詢問：
功率元件銷售與行銷部
電話：+81-3-3457-3933
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東芝電子元件及儲存裝置株式會社：適用於工業應用的100V N溝道功率MOSFET TPH3R70APL。（照片：美國商業資訊）
東芝電子元件及儲存裝置 株式會社：適用於工業應用的100V N溝道功率MOSFET TPN1200APL。（照片：美國商業資訊）
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